dc.contributor |
Universidade Federal de Santa Catarina |
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dc.contributor.advisor |
D'Ajello, Paulo Cesar Tettamanzy |
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dc.contributor.author |
Sapiro, Zeev Gidon Kipervaser |
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dc.date.accessioned |
2012-10-19T06:41:22Z |
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dc.date.available |
2012-10-19T06:41:22Z |
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dc.date.issued |
2001 |
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dc.date.submitted |
2001 |
pt_BR |
dc.identifier.other |
184502 |
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dc.identifier.uri |
http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/81671 |
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dc.description |
Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas. Programa de Pós-Graduação em Física. |
pt_BR |
dc.description.abstract |
Neste trabalho desenvolvemos dois modelos para descrever os transientes de corrente que se verificam em células eletrolíticas durante a deposição de íons metálicos sobre substratos semicondutores. Um desses modelos concebe um processo descrito por dois estágios. No primeiro desses estágios utiliza-se a teoria de processos estocásticos para representar o movimento dos íons em regiões distanciadas do substrato (eletrodo). No segundo, desenvolvem-se argumentos heurísticos para determinar a probabilidade de adesão de um íon à superfície do substrato, uma vez que ele tenha executado o movimento considerado no primeiro estágio. Com este artifício é possível considerar o transporte difusivo no volume da solução eletrolítica e a reação de redução sobre o eletrodo. Os resultados permitem distinguir três tipos de nucleação que orientam o processo de crescimento de depósitos sobre a superfície catalítica, as nucleações instantânea, progressiva e mista. Comparações dos resultados teóricos com dados experimentais, sugerem outro modelo mais simples e eficaz. Este, resume-se em uma equação diferencial com condições de contorno apropriadas. Uma dessas condições, dependente do tempo, mimetiza a evolução das reações de redução sobre a superfície do eletrodo. Também este modelo tem resultados comparados com dados experimentais. Desta comparação consegue-se verificar ser ele mais adequado para descrever os transientes de corrente diretos, sem a necessidade de desenvolver o habitual processo de dupla normalização utilizado na literatura e que, como discutimos, obscurece alguns aspectos relevantes na descrição do fenômeno. |
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dc.format.extent |
iii, 141 f.| il., grafs. |
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dc.language.iso |
por |
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dc.publisher |
Florianópolis, SC |
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dc.subject.classification |
Física |
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dc.subject.classification |
Processo estocastico |
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dc.subject.classification |
Eletrodeposicao |
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dc.subject.classification |
Filmes finos |
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dc.title |
Nucleação heterogênea e transientes de corrente em células eletrolíticas |
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dc.type |
Tese (Doutorado) |
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