Cálculo da condutividade térmica do hBN dopado com silício via dinâmica molecular

Abstract

A nanotecnologia abre portas para uma nova era tecnológica, na qual materiais bidimensionais ganham destaque devido as suas propriedades excepcionais. O nitreto de boro hexagonal é um material de estrutura semelhante ao grafeno, porém com a vantagem de uma maior energia de band gap, fundamental para muitas aplicações em eletrônica. O presente estudo explora o efeito que a dopagem de hBN com silício, que possui excelentes características elétricas, provoca na condutividade térmica da rede. Para isso, foram executadas simulações computacionais via dinâmica molecular de não equilíbrio que submetem a rede a um gradiente de energia e, portanto, de temperatura.

Nanotechnology opens doors to a new technological era, in which twodimensional materials stand out due to their exceptional properties. Hexagonal boron nitride is a material very similar to graphene when it comes to structure. However, it presents the advantage of having higher band gap energy, which is crucial for many applications in electronics. The present study explores the effect caused on thermal conductivity when hBN is doped with silicon, which has excellent electric characteristics. In order to accomplish this, we applied a non-equilibrium molecular dynamics technique that imposes an energy gradient, and, consequently, a temperature gradient on the lattice.