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Abstract:
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O presente trabalho traz um estudo sobre a estrutura eletrônica molecular de poliestananos alternados, compostos que possuem propriedades condutoras pronunciadas, porém apresentam baixa estabilidade frente à luz e à umidade. Poliestananos alternados já mostraram maior estabilidade frente à homopolímeros, por isso são objeto do presente estudo. A natureza da ligação Sn−Sn, bem como a estabilidade dos compostos são influenciadas pela presença de substituintes com diferentes efeitos elétron-doadores e elétron-sacadores. O estudo realizado possui caráter comparativo, utilizando os compostos análogos polisilanos e poligermanos na investigação da natureza das ligações Si−Si, Ge−Ge e Sn−Sn. Os resultados obtidos através dos cálculos de otimização de geometria, frequência numérica e análise de decomposição de energia trazem parâmetros sobre tais compostos, tais como: a magnitude do comprimento de ligação entre os elementos do Grupo XIV; a frequência com a qual essas ligações vibram; a intensidade das interações silício-silício, germânio-germânio e estanho-estanho e o caráter dessas interações (eletrostático ou covalente). |
