| dc.contributor |
Universidade Federal de Santa Catarina |
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| dc.contributor.advisor |
Jayaraman, Subramania |
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| dc.contributor.author |
Hauser, Paulo Roberto |
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| dc.date.accessioned |
2012-10-16T20:44:34Z |
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| dc.date.available |
2012-10-16T20:44:34Z |
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| dc.date.issued |
1980 |
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| dc.date.submitted |
1980 |
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| dc.identifier.other |
91786 |
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| dc.identifier.uri |
http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/76670 |
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| dc.description |
Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciencias Fisicas e Matematicas |
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| dc.description.abstract |
Nós investigamos teoricamente a supercondutividade em semicondutores tipo n com estrutura de banda indireta, como por exemplo o Ge, Si etc, induzida por laser usando um mecanismo não-fonon. Dado um semicondutor tipo n com 1018 - 1019 elétrons/cm3 na banda de condução indireta, os fotons do laser podem polarizar os elétrons da banda de valência. Os elétrons da banda de condução podem interagir com esta polarização, em um processo de segunda ordem de teoria de perturbação, resultando numa interação atrativa entre os elétrons de condução que formam pares de Cooper. Este processo origina a supercondutividade em semicondutores do tipo n. Estabelecemos uma analogia entre o mecanismo induzido elétron-quanta de polarização e o mecanismo elétron-fonon (teoria BCS) e obtivemos temperaturas críticas perto de 0°K. |
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| dc.language.iso |
por |
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| dc.subject.classification |
Supercondutividade |
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| dc.subject.classification |
Teses |
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| dc.title |
Supercondutividade em um semicondutor induzida por laser |
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| dc.type |
Dissertação (Mestrado) |
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