| dc.contributor |
Universidade Federal de Santa Catarina |
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| dc.contributor.advisor |
Schneider, Marcio Cherem |
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| dc.contributor.author |
Loss, Itamar Jose Bassanezi |
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| dc.date.accessioned |
2012-10-16T05:22:57Z |
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| dc.date.available |
2012-10-16T05:22:57Z |
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| dc.date.issued |
1993 |
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| dc.date.submitted |
1993 |
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| dc.identifier.other |
91741 |
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| dc.identifier.uri |
http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/75888 |
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| dc.description |
Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro Tecnologico. Inclui apendice |
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| dc.description.abstract |
Este trabalho apresenta uma estrutura de transistor MOS composto, formado pela associação em série de dois transistores, sendo que o transistor conectado no terminal de dreno é mais largo do que o transistor conectado no lado da fonte. É mostrado que esta estrutura apresenta características DC idênticas as de um transistor canal longo de largura uniforme. Este transistor composto têmduas grandes vantagens sobre o transistor canal longo equivalente de largura uniforme: economia considerável de área de silício e uma freqüência de ganho unitário mais elevada. Esta estrutura pode ser utilizada para a integração de circuitos analógicos que necessitem de altas velocidade e baixas tensões. A técnica proposta é particularmente adequada para o projeto de circuitos analógicos utilizando a metodologia de "gate-arrays" ("sea-of-transistor"). |
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| dc.format.extent |
xiii, 51f.| il |
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| dc.language.iso |
por |
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| dc.subject.classification |
Transistores |
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| dc.subject.classification |
Teses |
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| dc.subject.classification |
Semicondutores de oxido metalico |
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| dc.subject.classification |
Teses |
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| dc.title |
Transistores MOS compostos de baixa condutancia de saida e alta frequencia de ganho unitario |
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| dc.type |
Dissertação (Mestrado) |
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| dc.contributor.advisor-co |
Montoro, Carlos Galup |
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